试题
试题
试卷
搜索
高中数学
小学
数学
语文
英语
初中
数学
语文
英语
物理
化学
生物
地理
历史
思品
高中
数学
语文
英语
物理
化学
生物
地理
历史
政治
首页
我的试题
试卷
自动组卷
教材版本:
全部
课本:
全部
题型:
全部
难易度:
全部
容易
一般
较难
困难
年级:
全部
一年级
二年级
三年级
四年级
五年级
六年级
年级:
全部
初一
初二
初三
年级:
全部
高一
高二
高三
年份:
全部
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010-2007
2000-2006
地区:
全部
北京
上海
天津
重庆
安徽
甘肃
广东
广西
贵州
海南
河北
河南
湖北
湖南
吉林
江苏
江西
宁夏
青海
山东
山西
陕西
西藏
新疆
浙江
福建
辽宁
四川
黑龙江
内蒙古
第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.试回答:(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为 :middle"> .(2)下列说法正确的是 (选填序号).A.砷和镓都属于p区元素 B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体C.电负性:As>Ga D.第一电离能Ga>As(3)GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是 (填“极性分子”或“非极性分子”).(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为sp2 .(4)如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子.试题及答案-填空题-云返教育
试题详情
第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.试回答:
(1)Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为
:middle">
.
(2)下列说法正确的是
(选填序号).
A.砷和镓都属于p区元素 B.GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C.电负性:As>Ga D.第一电离能Ga>As
(3)GaAs是由(CH
3
)
3
Ga和AsH
3
在一定条件下制得,同时得到另一物质,该物质分子是
(填“极性分子”或“非极性分子”).(CH
3
)
3
Ga中镓原子的杂化方式为
sp
2
.
(4)如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子.
试题解答
:AC:非极性分子:
sp
2
解:(1)镓位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外电子排布式为1s
2
2s
2
2p
6
3d
10
4s
2
4p
1
或[Ar]3d
10
4s
2
4p
1
,
价电子的轨道排布式为:
,故答案为:
;
(2)A.因砷和镓的电子排布中最后填充的是p电子,则都属于p区元素,故A正确;
B.GaN、GaP、GaAs晶体结构与单晶硅相似,属于原子晶体,故B错误;
C.Ga的金属性强,则第一电离能小,电负性小,故C正确;
D.Ga的金属性强,则第一电离能小,电负性小,故D错误;
故选AC.
(3)反应为(CH
3
)
3
Ga和AsH
3
,生成为GaAs,根据质量守恒可知还应有和CH
4
,甲烷是非极性分子;(CH
3
)
3
Ga中Ga形成3个δ键,没有孤电子对,为sp
2
杂化,
故答案为:非极性分子;sp
2
;
(4)晶体硅中每个硅原子和四个硅原子形成四个共价键,如果一个硅原子在正方体体心上,4个硅原子在相对的4个顶点上,所以为:
,故答案为:
.
标签
选修3
人教版
填空题
高中
化学
原子核外电子排布
相关试题
下列原子或离子的基态电子排布式正确的是( )?
下列各原子轨道中能容纳电子数最多的是( )?
某原子的最外层电子排布为nsnnp2n+1,则该元素在周期表中的位置为( )?
核电荷数为15的原子,n层电子个数最多,n层为( )?
下列各原子轨道中能容纳电子数最多的是( )?
决定原子种类的微粒是?
关于原子结构的叙述正确的是( )?
任何原子都具有的粒子是( )?
前不久,我国科学家合成了三种新核素,其中一种是18572Hf.下列关于18572Hf的叙述中正确的是( )?
根据元素的原子序数,可推知原子的是( )①质子数②中子数③质量数④核电荷数⑤核外电子数.?
第1章 原子结构模型
1.1 原子结构模型
原子结构的构造原理
第2章 化学键与分子间作用力
2.1 共价键模型
共价键的形成及共价键的主要类型
键能、键长、键角及其应用
物质结构中的化学键数目计算
第3章 物质的聚集状态与物质性质
3.1 认识晶体
晶胞的计算
晶体的类型与物质熔点、硬度、导电性等的关系
MBTS ©2010-2016
edu.why8.cn
关于我们
联系我们
192.168.1.1路由器设置
Free English Tests for ESL/EFL, TOEFL®, TOEIC®, SAT®, GRE®, GMAT®